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　　美(měi)光公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办公室依法对美光(guāng)公司(sī)在华销(xiāo)售产品进行了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存(cún)在较严重(zhòng)网(wǎng)络(luò)安(ān西气东输的起点与终点，西气东输的起止点是哪里？)全问(wèn)题隐患，对(duì)我国(guó)关键信(xìn)息基础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室(shì)依法作出不(bù)予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品进(jìn)行网络安全(quán)审(shěn)查，目的是防(fáng)范产(chǎn)品网络安(ān)全问(wèn)题(tí)危害国家关键信息基(jī)础设(shè)施安全，是维护国家安(ān)全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规(guī)要(yào)求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文(wén)称，为保(bǎo)障(zhàng)关(guān)键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据(jù)《中华(huá)人民共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》，网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美(měi)国(guó)的(de)存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中国(guó)市(shì)场收入从(cóng)此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披露(lù)过(guò)美(měi)光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美(měi)光位(wèi)列(li西气东输的起点与终点，西气东输的起止点是哪里？è)江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业(yè)链上(shàng)下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了(le)长(zhǎng)期(qī)合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分析，如果美光(guāng)在(zài)中国区销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下(xià)游客户转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最(zuì)关键(jiàn)、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生(shēng)更(gèng)多设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D 西气东输的起点与终点，西气东输的起止点是哪里？NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存储业(yè)务占比较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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