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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品(pǐn)进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光(guāng)公司(sī)产品存在(zài)较严重(zhòng)网络安全(quán)问(wèn)题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应(yīng)链造(zào)成重大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安(ān)全(quán)审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审(shěn)查(chá)的结论(lùn)。按照《网络(luò)安(ān)全(quán)法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安全(quán)审(shěn)查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题(tí)危害(hài)国家关键信息(xī)基(jī)础设施安全，是维护(hù)国(guó)家(jiā)安全的必(bì)要(yào)措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平(píng)对外(wài)开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患(huàn)造(zào)成(chéng)网络安全风险，维护国(guó)家安(ān)全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国(guó)网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的(de)存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全(quán告白和表白意思一样吗女生，告白和表白意思一样吗)球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等(děng)国际(jì)存(cún)储厂(chǎng)商为公(gōng)司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第(dì)三大供(gōng)应商(shāng)采购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链上下(xià)游建立国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确(què)保存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国(guó)区(qū)销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来(lái)可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以告白和表白意思一样吗女生，告白和表白意思一样吗及存储业务占比较(jiào)高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长。

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