大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审查(chá)办公室依(yī)法(fǎ)对美(měi)光公司在华(huá)销(xiāo)售产品进行了网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存在(zài)较(jiào)严重网(wǎng)络安(ān)全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链造成重大安(ān)全(quán)风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法作出不(bù)予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按(àn)照(zhào)《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设(shè)施的运(yùn)营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次(cì)对美(měi)光公司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安(ān)全问(wèn)题(tí)危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)供(gōng)应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题(tí)隐(yǐn)患造(zào)成网络安全(quán)风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查(chá)办公室按照《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施(shī)网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国市(shì)场收入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨(zī)询(xún)机构(gòu) O幸会幸会后面接什么有趣，高情商回复幸会an style='color: #ff0000; line-height: 24px;'>幸会幸会后面接什么有趣，高情商回复幸会mdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美幸会幸会后面接什么有趣，高情商回复幸会光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披(pī)露(lù)过美光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是(shì)主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存储(chǔ)产(chǎn)业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期(qī)合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游市(shì)场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受(shòu)到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美(měi)国限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提(tí)升，以(yǐ)及存(cún)储业务(wù)占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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